セラフィーユ®(多層基板)

セラフィーユ®はAg系導体を使用した低損失のLTCC基板です。
内層にコイルやコンデンサ、抵抗などの受動素子を内蔵することが可能で、高周波モジュールやシリコン基板とのインターポーザ基板に適しています。
(LTCC基板:Low Temperature Co-fired Ceramics)

セラフィーユ®は当社のLTCC基板の登録商標です。

特長

高密度配線

コイルやコンデンサ、抵抗を基板に内蔵できるため基板サイズを小型化することができます。
±0.3%の優れた寸法精度により実装性が向上します。

低温焼結で導電率

Ag系の導体を使用しているため、導体損失を低く抑えることができます。
表面処理として、Ni/Auめっき処理、ならびにNi/Pd/Auめっき処理の選択が可能です。

材料特性

項目単位測定条件NL-Ag3
密度g/c㎥2.85
抗折強度MPa250
熱膨張係数10-6/℃RT~350℃5.5
熱伝導率W/(m・K)3.5
誘電率2.3GHz7.1
誘電正接%2.3GHz0.3
※代表値であり保証値ではありません

デザインガイドライン

項目単位標準仕様特別仕様
外形寸法inch2~4
寸法公差%±0.35
板厚交差%±10
層数2~
ビア径mm0.15, 0.20.10.085
ビアランド径mmビア径+0.15ビア径+0.1ビア径+0.05
ビアピッチmm0.50.350.25
ライン/スペースmm0.1/0.1, 0.15/0.150.075/0.075
ライン/ビアランド間mm0.20.1
ビアエッジ/基板端間mm0.50.25
ライン/基板端間mm0.30.15
キャビティ土手幅mm0.5以上0.35
キャビティ深さmm板厚の2/3以下
キャビティ開口コーナーRmm0.15, 0.20.1
キャビティ底厚みmm0.3以上
※上記以外のデザインについては別途ご相談ください

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利用されている商品

  • 高周波用途基板
    (フロントエンドモジュール・センサー基板)
  • 小型パッケージ部品基板
  • シリコン基板とのインターポーザ基板