ビアウエハ®（ウエハレベル実装用基板）
ビアウエハ®は熱膨張係数を調整したウエハレベル実装用のLTCC基板です。
基板表面に電気的接続用のバンプが設けられており、シリコンウエハと接合することで簡便にCSP(チップサイズパッケージ)が作れます。
MEMSや端子数の少ない半導体などのセラミックパッケージに適しています。
ビアウエハ®は当社のウエハレベル実装用基板の登録商標です。
特長
シリコンとの陽極接合が可能
ビアウエハ®のセラミック部がシリコンとの「接合」機能をもっている基板であるため、小型・低背・軽量な製品が実現可能です。電気的接続用のパンプを用いたウエハを陽極接合することで、電気的な取り出しが簡便化され、更にウエハ当たりの製品取り数を増加することで低コスト化が可能になります。
表裏をつなぐビア
評価用オープンツール基板はサンプル価格にて提供中
追加でエッチング加工することも可能です。
1枚からでも対応しており、短期間での製品開発を低コストで実施することにお役立て下さい。
※この実装技術を利用した製品の製造・販売に際しては、東北大学様と実施許諾契約が必要です
材料特性
| 項目 | 単位 | 測定条件 | ビアウエハ |
|---|---|---|---|
| 嵩密度 | g/cm3 | ― | 2.43 |
| 熱膨張係数 | ppm/℃ | ― | 3.4 |
| 抗折強度 | MPa | 焼成後 | 150 |
| 鏡面研磨後 | 220 | ||
| ヤング率 | GPa | ― | 81 |
| ポアソン比 | ― | ― | 0.23 |
| 熱伝導率 | W/(m・K) | ― | 1.67 |
| 絶縁抵抗 | Ω・cm | 31℃ 500VDC | 6.5×1012 |
| 比誘電率 | ― | 1MHz | 5.4 |
| 10GHz | 5.1 | ||
| 誘電損失 | ― | 1MHz | 0.01 |
| 10GHz | 0.01 |
デザインガイドライン
| 項目 | 単位 | 標準仕様 | 特別仕様 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 外形寸法 | inch | 〜 Φ4 (100 mm) | 〜 Φ6 (150 mm) | |||
| 基板厚み | mm | 0.25 〜 @3inch | 0.25 〜 @3inch | |||
| 0.3 〜 @4inch | 0.3 〜 @4inch | |||||
| 0.4 〜 @6inch | ||||||
| 板厚公差 | mm | ±0.02 | ±0.02 | |||
| 層厚み | mm | 0.07 (0.05 〜 0.07) | 0.05 (0.035 〜 0.05) | |||
| 層数 | ― | 20層配線可能 | 20層配線可能 | |||
| キャビティ | ― | 可能 | 可能 | |||
| ビア径 | mm | 0.05 〜 0.2 | 0.05 〜 0.2 | |||
| ビアピッチ | mm | 0.25 〜 | 0.25 〜 | |||
| ビアピッチ (エッチングビアバンプ) | mm | 0.3 〜 | 0.3 〜 | |||
| ビア位置精度 | μm | ウエハ半径の0.2％+35 | MEMS側：標準±50 | |||
| 端子側：±50 | ||||||
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