ビアウエハ®(ウエハレベル実装用基板)

ビアウエハ®は熱膨張係数を調整したウエハレベル実装用のLTCC基板です。
基板表面に電気的接続用のバンプが設けられており、シリコンウエハと接合することで簡便にCSP(チップサイズパッケージ)が作れます。
MEMSや端子数の少ない半導体などのセラミックパッケージに適しています。

ビアウエハ®は当社のウエハレベル実装用基板の登録商標です。

特長

シリコンとの陽極接合が可能

ビアウエハ®のセラミック部がシリコンとの「接合」機能をもっている基板であるため、小型・低背・軽量な製品が実現可能です。電気的接続用のパンプを用いたウエハを陽極接合することで、電気的な取り出しが簡便化され、更にウエハ当たりの製品取り数を増加することで低コスト化が可能になります。

Cavity Type
Flat Type

表裏をつなぐビア

断面SEM写真

評価用オープンツール基板はサンプル価格にて提供中

追加でエッチング加工することも可能です。
1枚からでも対応しており、短期間での製品開発を低コストで実施することにお役立て下さい。

※この実装技術を利用した製品の製造・販売に際しては、東北大学様と実施許諾契約が必要です

材料特性

項目単位測定条件ビアウエハ
嵩密度g/cm32.43
熱膨張係数ppm/℃3.4
抗折強度MPa焼成後150
鏡面研磨後220
ヤング率GPa81
ポアソン比0.23
熱伝導率W/(m・K)1.67
絶縁抵抗Ω・cm31℃ 500VDC6.5×1012
比誘電率1MHz5.4
10GHz5.1
誘電損失1MHz0.01
10GHz0.01
※代表値であり保証値ではありません

デザインガイドライン

項目標準仕様特別仕様
層間厚みmm0.07(0.05~0.07)0.05(0.035~0.05)
外形寸法(最大)inchΦ4Φ6
厚み(最小)mm0.25 @3inch
0.3 @4inch
0.25 @3inch
0.3 @4inch
0.4 @6inch
キャビティ深さmm0.025(0.003~0.05)0.025(0.003~0.05)
層数多層配線可能多層配線可能
ビア位置ばらつきμm4inchウエハ:±135MEMS側:標準±50
             プレミア±35
ウエハ半径の0.2%+35端子側:±50
ビア径mm0.1±0.030.11±0.03
ビアピッチ(最小)mm0.250.25
ビアピッチ(最小)
(エッチングビアバンプ)
mm0.30.3
内層ビアパッド径(最小)mm0.150.15
ライン幅(最小)mm0.0750.075
ライン間距離(最小)mm0.0750.075
ビアパッド・ライン間
距離(最小)
mm0.10.1
ビア(端)-キャビティ端
距離(最小)
mm0.20.2
ビア(端)-基板端(最小)mm0.20.2
パターン-基板端(最小)mm0.150.15
※上記以外のデザインについては別途ご相談ください

カタログダウンロード

利用されている商品

  • MEMSや端子数の少ない半導体などのセラミックパッケージ